تعتبر تقنية التجفيف تحت الفراغ من أهم التقنيات المستخدمة في إعداد المركبات الموحدة. فهي تساعد على التحكم الدقيق في ظروف التجفيف، مما يؤدي إلى تحسين أداء المواد. تتميز هذه التقنية بالعديد من المزايا، مثل القدرة على تجفيف المواد دون تغييرها الكيميائيا أو الفيزيائيا، وتقليل وقت التجفيف بشكل كبير.
تتأثر مختلف المواد مثل البوليمرات والمركبات اللافلزية بدرجة الحرارة ودرجة الفراغ بشكل مختلف. على سبيل المثال، قد تحتاج البوليمرات إلى درجات حرارة منخفضة وتدرجات فراغ عالية لمنع التحلل، بينما قد تحتاج المركبات اللافلزية إلى درجات حرارة أعلى. فيما يلي جدول توضيحي يوضح المعلمات الموصى بها للبعض من المواد الشائعة:
| نوع المادة | درجة الحرارة الموصى بها (مئوية) | درجة الفراغ الموصى بها (Pa) |
|---|---|---|
| بوليمرات | 40 - 60 | < 100 |
| مركبات لافلزية | 80 - 120 | < 133 |
تتميز خزانة التجفيف الرقمية DZ - 3BCII من شركة زنجزوج كودا بخصائص تقنية قوية. يعد تحكم درجة الحرارة الدقيق (±1 درجة مئوية) من أهم مميزاتها، مما يسمح بضبط درجة الحرارة بغض النظر عن التغيرات الخارجية. كما تتمتع بدرجة فراغ منخفضة (< 133 Pa)، مما делаетها مناسبة لمعالجة المواد التي تتطلب درجات فراغ عالية. بالإضافة إلى ذلك، يتم تسخين جميع جدران الخزانة بشكل متساو، مما يضمن تجفيف موحد للمواد.
هذه الخصائص تجعل DZ - 3BCII تستطيع تلبية متطلبات الدقة بمستوى المختبر في إعداد المركبات الموحدة. فهي توفر بيئة تجفيف مستقرة وثابتة، مما يساعد في الحصول على بيانات تجريبية موثوقة ومنتجات متسقة.
في المعالجة المسبقة لكرتونات الكاربون، يمكن استخدام DZ - 3BCII لتحسين جودة الكاربون قبل عملية التحضير. على سبيل المثال، عندما يتم تجفيف كرات الكاربون، يجب ضبط درجة الحرارة على 80 درجة مئوية ودرجة الفراغ على 100 Pa لمدة ساعتين. وهذا يساعد في إزالة الرطوبة والشوائب من سطح الكرات الكربونية، مما يؤدي إلى تحسين أداء المركب النهائي.
عند تجفيف المساحيق النانوية، من المهم تجنب وجود تجمعات كبيرة من المساحيق في الخزانة، لذلك يجب توزيعها بشكل منتظم. كما يجب تجنب زيادة درجة الحرارة بسرعة كبيرة، لذلك يجب ضبطها ببطء حتى تصل إلى الدرجة المطلوبة.
هنا نعرض بعض الخطوات الشبه الرسمية في صورة مخطط لتوضيح عملية ضبط المعلمات:
للحصول على حلول تجفيف موثوقة في إعداد المركبات الموحدة، اضغط هنا واختبر قوة DZ - 3BCII!
